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DDR4 SDRAM计划:即将开始实行!

2024-11-16 11:57:17 编辑:肉团资源网

DDR4 SDRAM计划于2014年9月开始实行。

2014年9月,DDR4 SDRAM计划开始实行

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DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4规格的内存。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。

DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。

2014年9月,DDR4 SDRAM计划开始实行

华裔王安引领创新:磁芯存储器传承百年宏图

磁芯存储器是华裔王安于1948年发明的。最初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。

1948年,华裔王安发明了磁芯存储器

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磁芯存储器是随机存取计算机存储器的主要形式,存在20年。这种存储器通常被称为核心存储器,或者非正式地称为核心存储器。
核心使用微小的磁环(环),核心通过线程来写入和读取信息。 每个核心代表一点信息。 磁芯可以以两种不同的方式(顺时针或逆时针)磁化,存储在磁芯中的位为零或一,取决于磁芯的磁化方向。 布线被布置成允许单个芯被设置为1或0,并且通过向所选择的导线发送适当的电流脉冲来改变其磁化。 读取内核的过程会导致内核重置为零,从而将其擦除。 这称为破坏性读数。 在不进行读写操作时,即使关闭电源,内核也会保持最后的值。

1948年,华裔王安发明了磁芯存储器

新一代高速内存问世!XDR-DRAM于2003年震撼上市

XDR-DRAM于2003年开始销售。

2003年,XDR-DRAM开始销售

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XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写,这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起,新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计,同时可以工作在相当高的频率,带来让人难以置信的带宽。

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